La semana pasada, la sección de memoria y almacenamiento de Intel produjo 10 millones de unidades ssdSSD) 3D NAND Intel QLC Residencia en morir QLC NAND construido en Dalian, China. La producción comenzó a finales de 2018 y este hito establece el QLC (memoria celular de cuatro niveles) como tecnología de flujo principal para unidades de alta capacidad.
"Muchos han hablado sobre la tecnología QLC, pero Intel la ha implementado a gran escala", dijo. Dave Lundell, director de planificación estratégica de clientes SSD y marketing de productos en Intel. "Hemos visto una fuerte demanda por la capacidad económica de nuestro SSD QLC independiente (Intel SSD 660p) y el rendimiento de nuestra tecnología Intel Optane + QLC (Intel Optane Memory H10)".
A continuación se muestran algunos datos relacionados con el producto:
- Intel QLC 3D NAND se utiliza en soluciones de almacenamiento Intel SSD 660p, Intel SSD 665p e Memoria Intel Optane H10.
- La unidad QLC de Intel tiene 4 bits por celda y almacena los datos en configuraciones NAND a 64 e Capas 96.
- Intel ha estado desarrollando esta tecnología durante la última década. En 2016, los ingenieros de Intel cambiaron la orientación de la ya probada tecnología de puerta flotante (FG) verticalmente y envuélvalo en una estructura de puerta redonda. La tecnología resultante 3D de tres celdas (TLC) podría contener 384 Gb / día. En el 2018, el Flash 3D QLC se hizo realidad, con Niveles 64 con cuatro bits por celda, capaz de almacenar 1.024 Gb / día. En 2019, Intel saltó a 96 niveles, reduciendo la densidad general del área.
- QLC ahora forma parte de la cartera de almacenamiento global de Intel, que incluye productos tanto para clientes como para centros de datos.
