Samsung Electronics está desarrollando su memoria V-NAND de la séptima generación con apilamiento 3D ultra alto. El primer modelo presentará al menos Niveles 160, los modelos posteriores ofrecerán más. Se espera que Samsung, que nunca ha querido ceder la iniciativa tecnológica al YMTC chino, lance el primer V-NAND de 160 capas en el período en el que el flash NAND 3D de 128 capas de YMTC alcanzará la producción en masa a finales de 2020.
El corazón de la pila 3D ultra alta es la tecnología patentada Doble pila por Samsung. La tecnología de doble pila crea agujeros de electrones en dos momentos separados para que la corriente pase a través de los circuitos. Los chips de pila única de la generación actual crean estos agujeros una vez a lo largo de la pila de ciclos. Se espera que el flash NAND de 160 capas anuncie un aumento del 67% en las densidades por paquete en comparación con los chips de 96 capas del mercado. Las densidades también podrían aumentarse por otros medios, como el traslado a nuevos nodos de fabricación de semiconductores y SOCIEDAD ANÓNIMA (5 bits por celda), actualmente en desarrollo por KIOXIA.
